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OTF-1200X-50-DSL 定向CVD生長爐

應(yīng)用范圍：OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐，其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要而設(shè)置（1mm/sec-100mm/s),并可以設(shè)置左右反復(fù)滑動，同時還可以設(shè)置爐體的滑動距離。此款管式爐專門設(shè)計用CVD方法定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）。通時此款滑軌爐也可用來在硅片上生長熔點(diǎn)較低的金屬單晶。此系統(tǒng)包含了可設(shè)30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。

產(chǎn)品型號：OTF-1200X-50-DSL

上架時間：2019-07-23

安裝尺寸：315 x 300 x 380 mm (爐體)

1200 x 400 x 530 mm ( 整個外形)

360 x 180 x 300 mm（電器控制柜）

重量：100Kg

A^-A⁺

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OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐，其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要而設(shè)置（1mm/sec-100mm/s),并可以設(shè)置左右反復(fù)滑動，同時還可以設(shè)置爐體的滑動距離。此款管式爐專門設(shè)計用CVD方法定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）。通時此款滑軌爐也可用來在硅片上生長熔點(diǎn)較低的金屬單晶。此系統(tǒng)包含了可設(shè)30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。

性能指標(biāo)和基本配置
爐體結(jié)構(gòu)	● 采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng) ● 一個滑軌安裝在爐體下端，可通過一6“的觸摸屏來控制爐體移動方向、滑動速度和往返次數(shù) ● 采用高純氧化鋁纖維作為爐膛材料，并且表面涂有美國進(jìn)口高溫氧化鋁涂層，可提高加熱效率和延長使用壽命。
功率	1.5KW
電壓	AC220V，單相
最高共工作溫度	1200℃（≤1小時）
連續(xù)工作溫度	1100℃
加熱區(qū)域	● 加熱區(qū)：200mm(單溫區(qū)） ● 通過管堵位置和爐體移動可形成想得到的溫度梯度
加熱元件	摻鉬鐵鉻鋁（表面涂有高溫氧化鋯涂層，可延長其使用壽命）
爐管	● 高純石英管 ● 尺寸：50 mm OD x 46mm ID x 1000 mm L ● 儀器加熱前，必須放入管堵，以防止熱量輻射影響法蘭的密封性
溫控系統(tǒng)	● 采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置30段升溫、降溫和保溫程序 ● 設(shè)置有溫度過高和斷偶保護(hù)系統(tǒng) ● 控溫精度：±1℃ ● 可選測PC控制軟件，將升溫程序和溫度曲線導(dǎo)入到電腦中
爐體滑動控制系統(tǒng)	● 觸摸屏控制 ● 爐體移動有手動和自動控制兩種控制狀態(tài)，在手動狀態(tài)和自動狀態(tài)下均可設(shè)定左右移動的速度，但只有在自動狀態(tài)下才能設(shè)定左右移動的次數(shù)。 ● 含蜂鳴報警器，當(dāng)爐體觸碰到限位開關(guān)就會產(chǎn)生報警，并切斷控制電路，使?fàn)t體停止移動。 ● 可顯示高溫爐內(nèi)的爐溫，與之通訊
密封法蘭	● 儀器中配有一套不銹鋼密封法蘭（上面已安裝不銹鋼針閥和機(jī)械壓力表） ● 法蘭上有一Φ6.35的鎧裝孔，可將熱電偶插入到爐管中，更準(zhǔn)確地測量樣品的實(shí)際溫度
石英氣體噴嘴	可選配石英氣體噴嘴，將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入，可有效減少副反應(yīng)發(fā)生，實(shí)現(xiàn)高端CVD工藝，如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝（ALC CVD）或單晶二維材料薄膜的生長工藝等。
真空度	● 10E-5 torr （用分子泵） ● 10E-2?torr?（用直聯(lián)式機(jī)械泵）
滑軌長度	1200mm
產(chǎn)品尺寸	● 315 x 300 x 380 mm (爐體) ● 1200 x 400 x 530 mm ( 整個外形) ● 360 x 180 x 300 mm（電器控制柜）
重量	100Kg
質(zhì)量認(rèn)證	CE certified
保修期	一年保修，終身技術(shù)支持。特別提示： 1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內(nèi)。 2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。點(diǎn)擊查看售后服務(wù)承諾書。
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OTF-1200X-50-DSL 定向CVD生長爐（英文版操作視頻）

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