GaN薄膜
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氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。
| 技術(shù)參數(shù) | |
|---|---|
| 常規(guī)尺寸 |
dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 |
| 產(chǎn)品定位 | C軸<0001>±1° |
| 傳導(dǎo)類型 | N型；半絕緣型；P型 |
| 電阻率 | R<0.05 Ohm-cm；半絕緣型R>106 Ohm-cm |
| 位錯(cuò)密度 | <1x108 Cm-2 |
| 表面處理(鎵面) | AS Grown |
| 有效值 | <1nm |
| 可用表面積 | >90% |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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